Справочник MOSFET. GSM2367AS

 

GSM2367AS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM2367AS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.08 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для GSM2367AS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM2367AS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  globaltech semi
gsm2367as.pdfpdf_icon

GSM2367AS

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367AS, P-Channel enhancement mode -20V/-2.8A,RDS(ON)=80m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.5A,RDS(ON)=98m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.2A,RDS(ON)=130m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell

 7.1. Size:850K  globaltech semi
gsm2367s.pdfpdf_icon

GSM2367AS

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2367S, P-Channel enhancement mode -20V/-3.0A,RDS(ON)=65m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.4A,RDS(ON)=80m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.0A,RDS(ON)=105m@VGS=-1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell d

 9.1. Size:944K  globaltech semi
gsm2317.pdfpdf_icon

GSM2367AS

GSM2317 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2317, P-Channel enhancement mode -40V/-3.6A,RDS(ON)=52m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-3.2A,RDS(ON)=67m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

 9.2. Size:951K  globaltech semi
gsm2319as.pdfpdf_icon

GSM2367AS

GSM2319AS 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM2319AS, P-Channel enhancement mode -40V/-3.0A,RDS(ON)=90m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench -40V/-2.4A,RDS(ON)=120m@VGS=-4.5VTechnology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for gate charge. extremely low RDS (ON) Exceptional on-resistance andThes

Другие MOSFET... GSM2330 , GSM2330A , GSM2333A , GSM2336A , GSM2337A , GSM2341 , GSM2343A , GSM2354 , 7N65 , GSM2367S , GSM2376 , GSM2379 , GSM2519 , GSM2604 , GSM2911 , GSM2912 , GSM2913W .

History: BUK7511-55A | MXP6004CTS | NTTFS6H854NL | GSM2341 | HUFA76443S3S | IRFH8337 | 2SK1700

 

 
Back to Top

 


 
.