GSM3009S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3009S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 210 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для GSM3009S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3009S даташит

 ..1. Size:926K  globaltech semi
 gsm3009s.pdf pdf_icon

GSM3009S

GSM3009S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3009S, N-Channel enhancement mode 30V/35A,RDS(ON)=8.5m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/20A,RDS(ON)=11.5m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) v

 9.1. Size:770K  globaltech semi
 gsm3025s.pdf pdf_icon

GSM3009S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3025S, N-Channel enhancement mode 30V/9.0A,RDS(ON)=32m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/7.0A,RDS(ON)=36m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for e

 9.2. Size:926K  globaltech semi
 gsm3016s.pdf pdf_icon

GSM3009S

GSM3016S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3016S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltag

 9.3. Size:983K  globaltech semi
 gsm3050s.pdf pdf_icon

GSM3009S

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3050S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=60m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-7A,RDS(ON)=72m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-5A,RDS(ON)=108m @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM2367S, GSM2376, GSM2379, GSM2519, GSM2604, GSM2911, GSM2912, GSM2913W, AO3401, GSM3015S, GSM3016S, GSM3019S, GSM3025S, GSM3030, GSM3050S, GSM3302W, GSM3306WS