GSM3050S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3050S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 95 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: TO-252-2L

Аналог (замена) для GSM3050S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3050S даташит

 ..1. Size:983K  globaltech semi
 gsm3050s.pdf pdf_icon

GSM3050S

30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3050S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=60m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-7A,RDS(ON)=72m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-5A,RDS(ON)=108m @VGS=-2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design f

 9.1. Size:770K  globaltech semi
 gsm3025s.pdf pdf_icon

GSM3050S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3025S, N-Channel enhancement mode 30V/9.0A,RDS(ON)=32m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/7.0A,RDS(ON)=36m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=2.5V These devices are particularly suited for low Super high density cell design for e

 9.2. Size:926K  globaltech semi
 gsm3016s.pdf pdf_icon

GSM3050S

GSM3016S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3016S, N-Channel enhancement mode 30V/45A,RDS(ON)=6m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/30A,RDS(ON)=9m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltag

 9.3. Size:1006K  globaltech semi
 gsm3030.pdf pdf_icon

GSM3050S

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3030, N-Channel enhancement mode 30V/12A,RDS(ON)= 30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/10A,RDS(ON)= 40m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM2912, GSM2913W, GSM3009S, GSM3015S, GSM3016S, GSM3019S, GSM3025S, GSM3030, K4145, GSM3302W, GSM3306WS, GSM3309WS, GSM3310W, GSM3316W, GSM3326WS, GSM3346W, GSM3366W