Справочник MOSFET. GSM3410

 

GSM3410 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3410
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.027 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3410 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:889K  globaltech semi
 gsm3410.pdf pdf_icon

GSM3410

GSM3410 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3410, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=27m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.5A,RDS(ON)=30m@VGS=4.5V provide excellent RDS (ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TSOP-6 p

 8.1. Size:875K  globaltech semi
 gsm3413.pdf pdf_icon

GSM3410

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.6A,RDS(ON)=130m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=195m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 8.2. Size:1106K  globaltech semi
 gsm3416.pdf pdf_icon

GSM3410

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V GSM3416, N-Channel enhancement mode 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

 8.3. Size:820K  globaltech semi
 gsm3413a.pdf pdf_icon

GSM3410

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413A, P-Channel enhancement mode -20V/-2.6A,RDS(ON)=110m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.2A,RDS(ON)=150m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.2A,RDS(ON)=205m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are par

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IXTP26P20P | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | FCPF13N60NT | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.