GSM3414S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3414S

Маркировка: 14*

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 5.4 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm

Тип корпуса: SOT-23-3L

Аналог (замена) для GSM3414S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3414S даташит

 ..1. Size:1087K  globaltech semi
 gsm3414s.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3414S, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.4A,RDS(ON)=60m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=105m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 7.1. Size:1310K  globaltech semi
 gsm3414a.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3414A, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=70m @VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.0A,RDS(ON)=80m @VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.8A,RDS(ON)=100m @VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:875K  globaltech semi
 gsm3413.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m @VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.6A,RDS(ON)=130m @VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=195m @VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 8.2. Size:1106K  globaltech semi
 gsm3416.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 20V/4.0A,RDS(ON)=26m @VGS=4.5V GSM3416, N-Channel enhancement mode 20V/3.2A,RDS(ON)=30m @VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.8A,RDS(ON)=36m @VGS=1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM3406S, GSM3407AS, GSM3407S, GSM3410, GSM3411, GSM3413, GSM3413A, GSM3414A, 2N60, GSM3415, GSM3416, GSM3424, GSM3424A, GSM3425, GSM3426, GSM3430W, GSM3432