Справочник MOSFET. GSM3414S

 

GSM3414S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3414S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 36 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23-3L
 

 Аналог (замена) для GSM3414S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3414S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1087K  globaltech semi
 gsm3414s.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3414S, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.4A,RDS(ON)=60m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=105m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 7.1. Size:1310K  globaltech semi
 gsm3414a.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3414A, N-Channel enhancement mode 20V/2.4A,RDS(ON)=70m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.0A,RDS(ON)=80m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/1.8A,RDS(ON)=100m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:875K  globaltech semi
 gsm3413.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3413, P-Channel enhancement mode -20V/-3.2A,RDS(ON)=100m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-2.6A,RDS(ON)=130m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-1.5A,RDS(ON)=195m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devices are particularly su

 8.2. Size:1106K  globaltech semi
 gsm3416.pdf pdf_icon

GSM3414S

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 20V/4.0A,RDS(ON)=26m@VGS=4.5V GSM3416, N-Channel enhancement mode 20V/3.2A,RDS(ON)=30m@VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/2.8A,RDS(ON)=36m@VGS=1.8V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM3406S , GSM3407AS , GSM3407S , GSM3410 , GSM3411 , GSM3413 , GSM3413A , GSM3414A , IRF830 , GSM3415 , GSM3416 , GSM3424 , GSM3424A , GSM3425 , GSM3426 , GSM3430W , GSM3432 .

History: VS4610AD | SSF18NS60F | STB200NF03-1

 

 
Back to Top

 


 
.