Справочник MOSFET. GSM3425

 

GSM3425 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: GSM3425
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 115 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.056 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6

 Аналог (замена) для GSM3425

 

 

GSM3425 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  globaltech semi
 gsm3425.pdf

GSM3425 GSM3425

GSM3425 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3425, P-Channel enhancement mode -20V/-4.0A,RDS(ON)=56m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-3.2A,RDS(ON)=70m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.8A,RDS(ON)=96m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are

 8.1. Size:883K  globaltech semi
 gsm3426.pdf

GSM3425 GSM3425

GSM3426 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3426, N-Channel enhancement mode 20V/4.0A,RDS(ON)=36m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A,RDS(ON)=40m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A,RDS(ON)=52m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 8.2. Size:772K  globaltech semi
 gsm3424a.pdf

GSM3425 GSM3425

GSM3424A 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424A, N-Channel enhancement mode 30V/2.4A,RDS(ON)=85m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/2.0A,RDS(ON)=95m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/1.5A,RDS(ON)=265m@VGS=4.5V Super high density cell design for extremely These devices are

 8.3. Size:883K  globaltech semi
 gsm3424.pdf

GSM3425 GSM3425

GSM3424 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3424, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=85m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON) ,low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=155m@VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are pa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top