GSM3430W datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3430W

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для GSM3430W

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3430W даташит

 ..1. Size:842K  globaltech semi
 gsm3430w.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3430W 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3430W, N-Channel enhancement mode 90V/4.0A,RDS(ON)=150m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/3.2A,RDS(ON)=155m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:895K  globaltech semi
 gsm3436.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3436 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3436, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=72m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=82m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=160m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 8.2. Size:1009K  globaltech semi
 gsm3434w.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3434W 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3434W, N-Channel enhancement mode 100V/3.2A,RDS(ON)=170m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/2.6A,RDS(ON)=185m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low Ex

 8.3. Size:895K  globaltech semi
 gsm3432.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3432 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3432, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=80m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=100m @VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM3414A, GSM3414S, GSM3415, GSM3416, GSM3424, GSM3424A, GSM3425, GSM3426, IRF1405, GSM3432, GSM3434W, GSM3436, GSM3446, GSM3452, GSM3454, GSM3456, GSM3456S