Справочник MOSFET. GSM3430W

 

GSM3430W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM3430W
   Маркировка: 43*
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 90 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
   Тип корпуса: TSOP-6
 

 Аналог (замена) для GSM3430W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3430W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:842K  globaltech semi
 gsm3430w.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3430W 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3430W, N-Channel enhancement mode 90V/4.0A,RDS(ON)=150m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 90V/3.2A,RDS(ON)=155m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:895K  globaltech semi
 gsm3436.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3436 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3436, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=72m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=82m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=160m@VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

 8.2. Size:1009K  globaltech semi
 gsm3434w.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3434W 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3434W, N-Channel enhancement mode 100V/3.2A,RDS(ON)=170m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/2.6A,RDS(ON)=185m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low Ex

 8.3. Size:895K  globaltech semi
 gsm3432.pdf pdf_icon

GSM3430W

GSM3432 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3432, N-Channel enhancement mode 30V/3.6A,RDS(ON)=75m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/3.0A,RDS(ON)=80m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/2.2A,RDS(ON)=100m@VGS=2.5V Super high density cell design for extremely These devices are partic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM3414A , GSM3414S , GSM3415 , GSM3416 , GSM3424 , GSM3424A , GSM3425 , GSM3426 , NCEP15T14 , GSM3432 , GSM3434W , GSM3436 , GSM3446 , GSM3452 , GSM3454 , GSM3456 , GSM3456S .

History: SMC3415A

 

 
Back to Top

 


 
.