GSM3458BW datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM3458BW

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.135 Ohm

Тип корпуса: TSOP-6

Аналог (замена) для GSM3458BW

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM3458BW даташит

 ..1. Size:805K  globaltech semi
 gsm3458bw.pdf pdf_icon

GSM3458BW

GSM3458BW 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3458BW, N-Channel enhancement mode 60V/5.6A,RDS(ON)=135m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/3.8A,RDS(ON)=145m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 7.1. Size:882K  globaltech semi
 gsm3458.pdf pdf_icon

GSM3458BW

GSM3458 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3458, N-Channel enhancement mode 60V/5.6A,RDS(ON)=60m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/3.8A,RDS(ON)=66m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.1. Size:841K  globaltech semi
 gsm3456.pdf pdf_icon

GSM3458BW

GSM3456 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3456, N-Channel enhancement mode 30V/5.6A,RDS(ON)=40m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/4.2A,RDS(ON)=50m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 8.2. Size:966K  globaltech semi
 gsm3459.pdf pdf_icon

GSM3458BW

GSM3459 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM3459, P-Channel enhancement mode -60V/-4.8A,RDS(ON)=128m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-3.6A,RDS(ON)=138m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM3434W, GSM3436, GSM3446, GSM3452, GSM3454, GSM3456, GSM3456S, GSM3458, EMB04N03H, GSM3459, GSM3460, GSM3466, GSM3481S, GSM3484, GSM3484S, GSM3485, GSM3497