GSM4435WS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM4435WS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: SOP-8P

Аналог (замена) для GSM4435WS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4435WS даташит

 ..1. Size:1086K  globaltech semi
 gsm4435ws.pdf pdf_icon

GSM4435WS

GSM4435WS GSM4435WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)= 17m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-7A,RDS(ON)= 24m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

 6.1. Size:981K  globaltech semi
 gsm4435w.pdf pdf_icon

GSM4435WS

GSM4435W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4435W, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)=24m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-7A,RDS(ON)=35m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low SOP-

 7.1. Size:776K  globaltech semi
 gsm4435.pdf pdf_icon

GSM4435WS

GSM4435 GSM4435 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4435, P-Channel enhancement mode -30V/-10A,RDS(ON)= 28m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-7.0A,RDS(ON)= 37m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. These Super high density cell design for extremely devices are particularly suited for low voltage lo

 7.2. Size:1035K  globaltech semi
 gsm4435s.pdf pdf_icon

GSM4435WS

GSM4435S GSM4435S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4435S, P-Channel enhancement mode -30V/-9A,RDS(ON)=18m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-7A,RDS(ON)=26m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... FTD36N06N, SFP65N06, IPI16CN10N, GSM4424, GSM4424W, GSM4435, GSM4435S, GSM4435W, AO3401, GSM4440, GSM4440W, GSM4447, GSM4486, GSM4510S, GSM4516, GSM4516W, GSM4535