GSM4535 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: GSM4535
Маркировка: 4535
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
GSM4535 Datasheet (PDF)
gsm4535.pdf
40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt
gsm4535w.pdf
GSM4535W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited
gsm4539ws.pdf
GSM4539WS 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=36m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m@VGS=-10V
gsm4539s.pdf
GSM4539S 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=40m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=65m@VGS=-10V
Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918