GSM4535 - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM4535 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM4535
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4535 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1224K  globaltech semi
 gsm4535.pdf pdf_icon

GSM4535

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volt

 0.1. Size:1190K  globaltech semi
 gsm4535w.pdf pdf_icon

GSM4535

GSM4535W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4535W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.2A,RDS(ON)= 35m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.2A,RDS(ON)= 50m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

 8.1. Size:1320K  globaltech semi
 gsm4539ws.pdf pdf_icon

GSM4535

GSM4539WS 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539WS, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=36m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=46m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=62m@VGS=-10V

 8.2. Size:1320K  globaltech semi
 gsm4539s.pdf pdf_icon

GSM4535

GSM4539S 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4539S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.8A,RDS(ON)=40m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/5.5A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-5.4A,RDS(ON)=65m@VGS=-10V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM4435WS , GSM4440 , GSM4440W , GSM4447 , GSM4486 , GSM4510S , GSM4516 , GSM4516W , RFP50N06 , GSM4535W , GSM4539S , GSM4539WS , GSM4546 , GSM4559 , GSM4599 , GSM4599W , GSM4634WS .

 

 
Back to Top

 


 
.