Справочник MOSFET. GSM4559

 

GSM4559 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4559
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.042 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM4559

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4559 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1207K  globaltech semi
gsm4559.pdfpdf_icon

GSM4559

GSM4559 60V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4559, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/6.8A,RDS(ON)=42m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/5.6A,RDS(ON)=50m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -60V/-4.0A,RDS(ON)=100m@VGS=-10V v

 9.1. Size:1190K  globaltech semi
gsm4516w.pdfpdf_icon

GSM4559

GSM4516W 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4516W, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=15m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V voltag

 9.2. Size:1304K  globaltech semi
gsm4516.pdfpdf_icon

GSM4559

GSM4516 30V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4516, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/8A,RDS(ON)=15m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 30V/6A,RDS(ON)=20m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -30V/-8A,RDS(ON)=28m@VGS=-10V voltage power man

 9.3. Size:1077K  globaltech semi
gsm4510s.pdfpdf_icon

GSM4559

GSM4510S 100V N & P Pair Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4510S, N & P Pair enhancement mode N-Channel MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/6.8A,RDS(ON)=150m@VGS=10V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 100V/5.6A,RDS(ON)=165m@VGS=4.5V P-Channel These devices are particularly suited for low -100V/-6.2A,RDS(ON)=198m@VGS=

Другие MOSFET... GSM4510S , GSM4516 , GSM4516W , GSM4535 , GSM4535W , GSM4539S , GSM4539WS , GSM4546 , IRLZ44N , GSM4599 , GSM4599W , GSM4634WS , GSM4637 , GSM4637W , GSM4804 , GSM4822S , GSM4822WS .

History: IRLL2703PBF | 10N60AF | NCE40H20A

 

 
Back to Top

 


 
.