GSM4637W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: GSM4637W
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm
Тип корпуса: SOP-8P
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
GSM4637W Datasheet (PDF)
gsm4637w.pdf

GSM4637W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637W, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)=37m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)=54m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for
gsm4637.pdf

40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4637, P-Channel enhancement mode -40V/-6.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-5.8A,RDS(ON)= 54m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) volta
gsm4634ws.pdf

GSM4634WS 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4634WS, N-Channel enhancement mode 30V/18A,RDS(ON)=5.8m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/15A,RDS(ON)=7.2m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON)
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: UT100N03L-TN3-R | AP2306CGN-HF | SRM10N65TC | HSP15810C | VSD013N10MS | AP65SL210AFI | DMT5015LFDF
History: UT100N03L-TN3-R | AP2306CGN-HF | SRM10N65TC | HSP15810C | VSD013N10MS | AP65SL210AFI | DMT5015LFDF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
ksa992 transistor | 2n2926 | ksa992 pinout | 2n1308 transistor | p609 | bc327-40 | tip125 | a992 transistor