GSM4896 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM4896

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GSM4896

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4896 даташит

 ..1. Size:826K  globaltech semi
 gsm4896.pdf pdf_icon

GSM4896

GSM4896 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4896, N-Channel enhancement mode 100V/6.8A,RDS(ON)=115m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 100V/5.6A,RDS(ON)=125m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for lo

 9.1. Size:747K  globaltech semi
 gsm4822ws.pdf pdf_icon

GSM4896

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822WS, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=34m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=44m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage powe

 9.2. Size:723K  globaltech semi
 gsm4804.pdf pdf_icon

GSM4896

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4804, N-Channel enhancement mode 40V/16A,RDS(ON)= 48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/10A,RDS(ON)= 70m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

 9.3. Size:813K  globaltech semi
 gsm4822s.pdf pdf_icon

GSM4896

30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4822S, N-Channel enhancement mode 30V/6.0A,RDS(ON)=30m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/5.0A,RDS(ON)=42m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM4634WS, GSM4637, GSM4637W, GSM4804, GSM4822S, GSM4822WS, GSM4850WS, GSM4874WS, IRFP250, GSM4900W, GSM4906, GSM4922W, GSM4924, GSM4924W, GSM4925, GSM4925S, GSM4925W