GSM4924 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM4924

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GSM4924

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4924 даташит

 ..1. Size:1468K  globaltech semi
 gsm4924.pdf pdf_icon

GSM4924

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4924, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 24m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/6A,RDS(ON)= 48m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power ma

 0.1. Size:1478K  globaltech semi
 gsm4924w.pdf pdf_icon

GSM4924

GSM4924W 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4924W, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)=22m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/6A,RDS(ON)=28m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low S

 8.1. Size:834K  globaltech semi
 gsm4925ws.pdf pdf_icon

GSM4924

GSM4925WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925WS, P-Channel enhancement mode -30V/-8.0A,RDS(ON)= 18m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-6.0A,RDS(ON)= 26m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 8.2. Size:719K  globaltech semi
 gsm4925.pdf pdf_icon

GSM4924

GSM4925 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925, P-Channel enhancement mode -30V/-7.2A,RDS(ON)= 28m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-5.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM4822S, GSM4822WS, GSM4850WS, GSM4874WS, GSM4896, GSM4900W, GSM4906, GSM4922W, 5N60, GSM4924W, GSM4925, GSM4925S, GSM4925W, GSM4925WS, GSM4936S, GSM4936WS, GSM4946