Справочник MOSFET. GSM4924W

 

GSM4924W Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM4924W
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.022 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM4924W

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4924W Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1478K  globaltech semi
 gsm4924w.pdf pdf_icon

GSM4924W

GSM4924W 40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4924W, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)=22m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/6A,RDS(ON)=28m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low S

 7.1. Size:1468K  globaltech semi
 gsm4924.pdf pdf_icon

GSM4924W

40V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4924, N-Channel enhancement mode 40V/8A,RDS(ON)= 24m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 40V/6A,RDS(ON)= 48m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (ON) voltage power ma

 8.1. Size:834K  globaltech semi
 gsm4925ws.pdf pdf_icon

GSM4924W

GSM4925WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925WS, P-Channel enhancement mode -30V/-8.0A,RDS(ON)= 18m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-6.0A,RDS(ON)= 26m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 8.2. Size:719K  globaltech semi
 gsm4925.pdf pdf_icon

GSM4924W

GSM4925 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925, P-Channel enhancement mode -30V/-7.2A,RDS(ON)= 28m@VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-5.8A,RDS(ON)= 37m@VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM4822WS , GSM4850WS , GSM4874WS , GSM4896 , GSM4900W , GSM4906 , GSM4922W , GSM4924 , SKD502T , GSM4925 , GSM4925S , GSM4925W , GSM4925WS , GSM4936S , GSM4936WS , GSM4946 , GSM4946BW .

History: SI4435DDY | CS10N80AND | 2SK2386 | BRCS080C04SC | IRFN130SMD05 | AP9972AGP | NP32N055ILE

 

 
Back to Top

 


 
.