GSM4925WS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM4925WS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GSM4925WS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM4925WS даташит

 ..1. Size:834K  globaltech semi
 gsm4925ws.pdf pdf_icon

GSM4925WS

GSM4925WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925WS, P-Channel enhancement mode -30V/-8.0A,RDS(ON)= 18m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-6.0A,RDS(ON)= 26m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 6.1. Size:823K  globaltech semi
 gsm4925w.pdf pdf_icon

GSM4925WS

GSM4925W 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925W, P-Channel enhancement mode -30V/-7.2A,RDS(ON)= 30m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-5.8A,RDS(ON)= 36m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

 7.1. Size:719K  globaltech semi
 gsm4925.pdf pdf_icon

GSM4925WS

GSM4925 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925, P-Channel enhancement mode -30V/-7.2A,RDS(ON)= 28m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-5.8A,RDS(ON)= 37m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

 7.2. Size:833K  globaltech semi
 gsm4925s.pdf pdf_icon

GSM4925WS

GSM4925S 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM4925S, P-Channel enhancement mode -30V/-7.5A,RDS(ON)= 18m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-6.0A,RDS(ON)= 26m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM4900W, GSM4906, GSM4922W, GSM4924, GSM4924W, GSM4925, GSM4925S, GSM4925W, 20N50, GSM4936S, GSM4936WS, GSM4946, GSM4946BW, GSM4946W, GSM4948, GSM4953S, GSM4953WS