Справочник MOSFET. GSM7472S

 

GSM7472S Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM7472S
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0086 Ohm
   Тип корпуса: DFN33X33-8L
 

 Аналог (замена) для GSM7472S

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7472S Datasheet (PDF)

 ..1. Size:885K  globaltech semi
 gsm7472s.pdf pdf_icon

GSM7472S

GSM7472S GSM7472S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7472S, N-Channel enhancement mode 30V/15A,RDS(ON)=8.6m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/13A,RDS(ON)=14m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited

 9.1. Size:862K  globaltech semi
 gsm7412.pdf pdf_icon

GSM7472S

GSM7412 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7412, N-Channel enhancement mode 20V/3.8A , RDS(ON)= 52m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A , RDS(ON)= 56m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A , RDS(ON)= 68m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

 9.2. Size:755K  globaltech semi
 gsm7424s.pdf pdf_icon

GSM7472S

GSM7424S GSM7424S 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7424S, N-Channel enhancement mode 30V/20A,RDS(ON)=5m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 30V/15A,RDS(ON)=7m@VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremelylow RDS (ON) These devices are particularly suited for

 9.3. Size:923K  globaltech semi
 gsm7402.pdf pdf_icon

GSM7472S

GSM7402 20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7402, N-Channel enhancement mode 20V/3.6A , RDS(ON)= 60m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/3.2A , RDS(ON)= 70m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/2.8A , RDS(ON)= 90m@VGS=1.8V Super high density cell design for extremely These devices a

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM7002T , GSM7002W , GSM7106S , GSM7400 , GSM7402 , GSM7412 , GSM7420 , GSM7424S , IRF3710 , GSM7617WS , GSM7619WS , GSM7923WS , GSM8205 , GSM8206 , GSM8411 , GSM8412 , GSM8439 .

History: CSD87353Q5D | HGN028NE6A | IRFBC40SPBF

 

 
Back to Top

 


 
.