GSM7923WS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM7923WS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 12 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: DFN3X3-8L

Аналог (замена) для GSM7923WS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7923WS даташит

 ..1. Size:909K  globaltech semi
 gsm7923ws.pdf pdf_icon

GSM7923WS

GSM7923WS GSM7923WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM7923WS, P-Channel enhancement mode -30V/-8A,RDS(ON)=55m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-6A,RDS(ON)=75m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-4A,RDS(ON)=95m @VGS=-2.5V Super high density cell design for extremely These dev

Другие IGBT... GSM7400, GSM7402, GSM7412, GSM7420, GSM7424S, GSM7472S, GSM7617WS, GSM7619WS, 10N60, GSM8205, GSM8206, GSM8411, GSM8412, GSM8439, GSM8451, GSM8452, GSM8459