Справочник MOSFET. GSM7923WS

 

GSM7923WS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM7923WS
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для GSM7923WS

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM7923WS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:909K  globaltech semi
 gsm7923ws.pdf pdf_icon

GSM7923WS

GSM7923WS GSM7923WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFETProduct Description Features GSM7923WS, P-Channel enhancement mode -30V/-8A,RDS(ON)=55m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-6A,RDS(ON)=75m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -30V/-4A,RDS(ON)=95m@VGS=-2.5V Super high density cell design for extremelyThese dev

Другие MOSFET... GSM7400 , GSM7402 , GSM7412 , GSM7420 , GSM7424S , GSM7472S , GSM7617WS , GSM7619WS , IRFB4227 , GSM8205 , GSM8206 , GSM8411 , GSM8412 , GSM8439 , GSM8451 , GSM8452 , GSM8459 .

History: 2SJ604-S

 

 
Back to Top

 


 
.