Справочник MOSFET. GSM8439

 

GSM8439 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM8439
   Маркировка: 8439
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 3 nC
   trⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8439 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:876K  globaltech semi
 gsm8439.pdf pdf_icon

GSM8439

GSM8439 GSM8439 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 30V/6.0A,RDS(ON)=45m@VGS=4.5V GSM8439, N-Channel enhancement mode 30V/5.5A,RDS(ON)=55m@VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Super high density cell design for extremely Technology to provide excellent RDS(ON), low low RDS (ON) gate charge. These devices are particularly

 9.1. Size:1204K  globaltech semi
 gsm8471.pdf pdf_icon

GSM8439

GSM8471 GSM8471 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8471, N-Channel enhancement mode 60V/5.8A,RDS(ON)=54m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/4.6A,RDS(ON)=60m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (

 9.2. Size:910K  globaltech semi
 gsm8411.pdf pdf_icon

GSM8439

GSM8411 GSM8411 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 100V/5.8A,RDS(ON)=115m@VGS=10V GSM8411, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=125m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Super high density cell design for extremely Technology to provide excellent RDS(ON), low low RDS (ON) gate charge. These devices are particularly

 9.3. Size:837K  globaltech semi
 gsm8483.pdf pdf_icon

GSM8439

GSM8483 GSM8483 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -100V/-3.8A,RDS(ON)=260m@VGS=-10V GSM8483, P-Channel enhancement mode -100V/-2.6A,RDS(ON)=290m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Super high density cell design for extremely Technology to provide excellent RDS(ON), low low RDS (ON) gate charge. SOT-223 package de

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: IPB60R090CFD7 | 2SJ683 | TPCP8002 | OSG60R092PT3ZF | 2SK1409 | 2SK3596-01L

 

 
Back to Top

 


 
.