Справочник MOSFET. GSM8483

 

GSM8483 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM8483
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.26 Ohm
   Тип корпуса: SOT-223
 

 Аналог (замена) для GSM8483

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8483 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:837K  globaltech semi
 gsm8483.pdf pdf_icon

GSM8483

GSM8483 GSM8483 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features -100V/-3.8A,RDS(ON)=260m@VGS=-10V GSM8483, P-Channel enhancement mode -100V/-2.6A,RDS(ON)=290m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Super high density cell design for extremely Technology to provide excellent RDS(ON), low low RDS (ON) gate charge. SOT-223 package de

 9.1. Size:1204K  globaltech semi
 gsm8471.pdf pdf_icon

GSM8483

GSM8471 GSM8471 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8471, N-Channel enhancement mode 60V/5.8A,RDS(ON)=54m@VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/4.6A,RDS(ON)=60m@VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely These devices are particularly suited for low low RDS (

 9.2. Size:876K  globaltech semi
 gsm8439.pdf pdf_icon

GSM8483

GSM8439 GSM8439 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 30V/6.0A,RDS(ON)=45m@VGS=4.5V GSM8439, N-Channel enhancement mode 30V/5.5A,RDS(ON)=55m@VGS=2.5V MOSFET, uses Advanced Trench Super high density cell design for extremely Technology to provide excellent RDS(ON), low low RDS (ON) gate charge. These devices are particularly

 9.3. Size:910K  globaltech semi
 gsm8411.pdf pdf_icon

GSM8483

GSM8411 GSM8411 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features 100V/5.8A,RDS(ON)=115m@VGS=10V GSM8411, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=125m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Super high density cell design for extremely Technology to provide excellent RDS(ON), low low RDS (ON) gate charge. These devices are particularly

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM8411 , GSM8412 , GSM8439 , GSM8451 , GSM8452 , GSM8459 , GSM8471 , GSM8473 , IRFP260 , GSM8803 , GSM8816 , GSM8822 , GSM8822S , GSM8823 , GSM8904 , GSM8918 , GSM8931 .

History: TPCF8003 | AP95T06GP | MPSA60M940 | APM2303AC | IXTT11P50 | UML2502G-AE3-R | AP85T03GP-HF

 

 
Back to Top

 


 
.