Справочник MOSFET. GSM8822

 

GSM8822 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: GSM8822
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 75 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.028 Ohm
   Тип корпуса: TSSOP-8P
 

 Аналог (замена) для GSM8822

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8822 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:439K  globaltech semi
 gsm8822.pdf pdf_icon

GSM8822

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8822, N-Channel enhancement mode 20V/7.2A,RDS(ON)=28m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 20V/4.8A,RDS(ON)=32m@VGS=2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. 20V/3.0A,RDS(ON)=45m@VGS=1.8V These devices are particularly suited for low Super high density cell desig

 0.1. Size:432K  globaltech semi
 gsm8822s.pdf pdf_icon

GSM8822

20V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8822S, N-Channel enhancement mode 20V/6.5A,RDS(ON)=32m@VGS=4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 20V/4.8A,RDS(ON)=35m@VGS=2.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for These devices are particularly suited for low extremely low RDS (ON) volt

 8.1. Size:859K  globaltech semi
 gsm8823.pdf pdf_icon

GSM8822

GSM8823 20V Common-Drain P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8823, P-Channel enhancement mode -20V/-7.2A,RDS(ON)=48m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.8A,RDS(ON)=62m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=88m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely

 9.1. Size:616K  globaltech semi
 gsm8803.pdf pdf_icon

GSM8822

GSM8803 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8803, P-Channel enhancement mode -20V/-5.4A,RDS(ON)=32m@VGS=-4.5V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.0A,RDS(ON)=42m@VGS=-2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-3.0A,RDS(ON)=58m@VGS=-1.8V Super high density cell design for extremely These devic

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM8451 , GSM8452 , GSM8459 , GSM8471 , GSM8473 , GSM8483 , GSM8803 , GSM8816 , IRF1010E , GSM8822S , GSM8823 , GSM8904 , GSM8918 , GSM8931 , GSM8936 , GSM8943 , GSM8968 .

History: SM4850NSK

 

 
Back to Top

 


 
.