GSM8943 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM8943

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 145 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.043 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для GSM8943

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM8943 даташит

 ..1. Size:1190K  globaltech semi
 gsm8943.pdf pdf_icon

GSM8943

GSM8943 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8943, P-Channel enhancement mode -40V/-4.6A,RDS(ON)=43m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology -40V/-3.6A,RDS(ON)=58m @ VGS=-4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:887K  globaltech semi
 gsm8988.pdf pdf_icon

GSM8943

GSM8988 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8988, N-Channel enhancement mode 100V/4.6A,RDS(ON)=120m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 100V/3.6A,RDS(ON)=130m @ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for lo

 9.2. Size:848K  globaltech semi
 gsm8904.pdf pdf_icon

GSM8943

GSM8904 30V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8904, N-Channel enhancement mode 30V/5.6A,RDS(ON)=72m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 30V/3.6A,RDS(ON)=95m @ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS(ON) These devices are particularly suited for low

 9.3. Size:830K  globaltech semi
 gsm8936.pdf pdf_icon

GSM8943

GSM8936 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM8936, N-Channel enhancement mode 60V/4.6A,RDS(ON)=48m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology 60V/3.6A,RDS(ON)=54m @ VGS=4.5V to provide excellent RDS(ON), low gate charge. 60V/2.0A,RDS(ON)=95m @ VGS=3.3V Super high density cell design for extremely low These devices are p

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM8816, GSM8822, GSM8822S, GSM8823, GSM8904, GSM8918, GSM8931, GSM8936, SPP20N60C3, GSM8968, GSM8987, GSM8987W, GSM8988, GSM8988W, GSM8989, GSM8995, GSM9407