GSM9407 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM9407

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: SOP-8

Аналог (замена) для GSM9407

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9407 даташит

 ..1. Size:839K  globaltech semi
 gsm9407.pdf pdf_icon

GSM9407

GSM9407 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9407, P-Channel enhancement mode -60V/-4.6A,RDS(ON)= 100m @VGS= -10V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-3.8A,RDS(ON)= 120m @VGS= -4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited

 9.1. Size:955K  globaltech semi
 gsm9435s.pdf pdf_icon

GSM9407

GSM9435S P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9435S, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=52m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=76m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.2. Size:908K  globaltech semi
 gsm9434ws.pdf pdf_icon

GSM9407

GSM9434WS 20V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9434WS, P-Channel enhancement mode -20V/-6.5A,RDS(ON)= 42m @VGS= -4.5V OSFET, uses Advanced Trench Technology to -20V/-4.5A,RDS(ON)= 58m @VGS= -2.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. -20V/-2.5A,RDS(ON)= 72m @VGS= -1.8V Super high density cell design for extremely These

 9.3. Size:951K  globaltech semi
 gsm9435ws.pdf pdf_icon

GSM9407

GSM9435WS 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9435WS, P-Channel enhancement mode -30V/-5.3A,RDS(ON)=58m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -30V/-4.2A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited f

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM8943, GSM8968, GSM8987, GSM8987W, GSM8988, GSM8988W, GSM8989, GSM8995, IRFB3607, GSM9434WS, GSM9435S, GSM9435WS, GSM9498, GSM9510S, GSM9565S, GSM9566W, GSM9575S