GSM9565S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM9565S

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 17 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.058 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для GSM9565S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9565S даташит

 ..1. Size:997K  globaltech semi
 gsm9565s.pdf pdf_icon

GSM9565S

GSM9565S 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9565S, P-Channel enhancement mode -40V/-8.6A,RDS(ON)=58m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-6.2A,RDS(ON)=86m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for

 8.1. Size:1264K  globaltech semi
 gsm9566w.pdf pdf_icon

GSM9565S

GSM9566W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)=80m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-3.5A,RDS(ON)=105m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

 9.1. Size:985K  globaltech semi
 gsm9510s.pdf pdf_icon

GSM9565S

GSM9510S 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9510S, P-Channel enhancement mode -100V/-8.0A,RDS(ON)=200m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -100V/-7.0A,RDS(ON)=220m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 9.2. Size:998K  globaltech semi
 gsm9575s.pdf pdf_icon

GSM9565S

GSM9575S 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9575S, P-Channel enhancement mode -60V/-18A,RDS(ON)=68m @VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-12A,RDS(ON)=78m @VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM8989, GSM8995, GSM9407, GSM9434WS, GSM9435S, GSM9435WS, GSM9498, GSM9510S, STP80NF70, GSM9566W, GSM9575S, GSM9576, GSM9910, GSM9971, GSM9971B, GSM9972S, GSM9977