GSM9576 - аналоги и даташиты транзистора

 

GSM9576 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: GSM9576
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 14 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
 

 Аналог (замена) для GSM9576

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9576 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:891K  globaltech semi
 gsm9576.pdf pdf_icon

GSM9576

GSM9576 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9576, P-Channel enhancement mode -60V/-14A,RDS(ON)=115m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-10A,RDS(ON)=125m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 8.1. Size:998K  globaltech semi
 gsm9575s.pdf pdf_icon

GSM9576

GSM9575S 60V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9575S, P-Channel enhancement mode -60V/-18A,RDS(ON)=68m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -60V/-12A,RDS(ON)=78m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for l

 9.1. Size:985K  globaltech semi
 gsm9510s.pdf pdf_icon

GSM9576

GSM9510S 100V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9510S, P-Channel enhancement mode -100V/-8.0A,RDS(ON)=200m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -100V/-7.0A,RDS(ON)=220m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suite

 9.2. Size:1264K  globaltech semi
 gsm9566w.pdf pdf_icon

GSM9576

GSM9566W 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9566W, P-Channel enhancement mode -40V/-5.0A,RDS(ON)=80m@VGS=-10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to -40V/-3.5A,RDS(ON)=105m@VGS=-4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited fo

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... GSM9434WS , GSM9435S , GSM9435WS , GSM9498 , GSM9510S , GSM9565S , GSM9566W , GSM9575S , P60NF06 , GSM9910 , GSM9971 , GSM9971B , GSM9972S , GSM9977 , GSM9987 , GSM9990S , GSM9995S .

History: EV2315 | SI2301DS | IXTL2x180N10T | LPM3413 | TPC8118 | 2SK2415

 

 
Back to Top

 


 
.