GSM9987 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: GSM9987

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 90 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO-252

Аналог (замена) для GSM9987

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

GSM9987 даташит

 ..1. Size:673K  globaltech semi
 gsm9987.pdf pdf_icon

GSM9987

GSM9987 GSM9987 90V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9987, N-Channel enhancement mode 90V/15A,RDS(ON)= 75m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench 90V/12A,RDS(ON)= 85m @VGS=4.5V Technology to provide excellent RDS(ON), low Super high density cell design for extremely gate charge. These devices are particularly low RDS (ON) suit

 9.1. Size:989K  globaltech semi
 gsm9990s.pdf pdf_icon

GSM9987

GSM9990S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9990S, N-Channel enhancement mode 60V/40A,RDS(ON)=7.8m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/25A,RDS(ON)=9.8m @VGS=6V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low TO-252-2L

 9.2. Size:931K  globaltech semi
 gsm9972s.pdf pdf_icon

GSM9987

GSM9972S 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9972S, N-Channel enhancement mode 60V/35A,RDS(ON)=15m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/25A,RDS(ON)=18m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

 9.3. Size:922K  globaltech semi
 gsm9971b.pdf pdf_icon

GSM9987

GSM9971B 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Product Description Features GSM9971B, N-Channel enhancement mode 60V/18A,RDS(ON)=56m @VGS=10V MOSFET, uses Advanced Trench Technology to 60V/12A,RDS(ON)=62m @VGS=4.5V provide excellent RDS(ON), low gate charge. Super high density cell design for extremely low RDS (ON) These devices are particularly suited for low

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... GSM9566W, GSM9575S, GSM9576, GSM9910, GSM9971, GSM9971B, GSM9972S, GSM9977, 10N65, GSM9990S, GSM9995S, GSM9997, GSMBSS123, GSMBSS138, GSMBSS84, H5N2001LM, H5N2512FL-M0