INK0112AM1 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: INK0112AM1
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.2 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 13 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm
Тип корпуса: SC-70
Аналог (замена) для INK0112AM1
INK0112AM1 Datasheet (PDF)
ink0112ac1 ink0112am1 ink0112au1 int0112am1.pdf
INK0112AX SERIES High speed switching Silicon N-channel MOSFETDESCRIPTION OUTLINE DRAWING (Unitmm) INK0112A is a Silicon N-channel MOSFET. This product is most suitable for low voltage INK0112AU1 use such as portable machinery , because of low 1.5voltage drive and low on resistance. 0.35 0.80.35FEATURE Input impedance is high, and not necessary to JEIT
Другие MOSFET... INK0012AU1 , INK0102AC1 , INK0102AM1 , INK0102AU1 , INK0103AC1 , INK0103AM1 , INK0103AU1 , INK0112AC1 , K3569 , INK0112AU1 , INK011BAP1 , INK0200AC1 , INK0210AC1 , INK0210AP1 , INK021AAP1 , INK0302AC1 , INK0310AP1 .
History: 2SJ506S | HM2369 | JCS640SH
History: 2SJ506S | HM2369 | JCS640SH
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n6121 | 2sc1312 | bf495 transistor equivalent | 2sc1313 | 2sb560 replacement | 2sd330 replacement | a1273 transistor | 2sc1384 equivalent