Справочник MOSFET. SML5025HN

 

SML5025HN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SML5025HN
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2950 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: TO258
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SML5025HN Datasheet (PDF)

 8.1. Size:30K  semelab
sml5020bn.pdfpdf_icon

SML5025HN

SML5020BNSEMELAB4TH GENERATION MOSFETTO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL4.69 (0.185) 15.49 (0.610)5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3VDSS 500V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)ID(cont) 28.0A1.01 (0

 9.1. Size:20K  semelab
sml50a19.pdfpdf_icon

SML5025HN

SML50A19TO3 Package Outline.Dimensions in mm (inches)NCHANNEL25.15 (0.99) ENHANCEMENT MODE6.35 (0.25)26.67 (1.05)9.15 (0.36)10.67 (0.42)HIGH VOLTAGE11.18 (0.44) 1.52 (0.06)3.43 (0.135)POWER MOSFETSVDSS 500V1 2ID(cont) 18.5A3(case)RDS(on) 0.2403.84 (0.151)4.09 (0.161)7.92 (0.312)12.70 (0.50) Faster Switching Lower LeakagePin 1

 9.2. Size:21K  semelab
sml50b26.pdfpdf_icon

SML5025HN

SML50B26TO247AD Package Outline.Dimensions in mm (inches)4.69 (0.185) 15.49 (0.610) NCHANNEL5.31 (0.209) 16.26 (0.640)1.49 (0.059)2.49 (0.098)ENHANCEMENT MODEHIGH VOLTAGEPOWER MOSFETS3.55 (0.140)3.81 (0.150)1 2 3 VDSS 500V1.65 (0.065)2.13 (0.084)0.40 (0.016)ID(cont) 26A0.79 (0.031) 2.87 (0.113)3.12 (0.123)1.01 (0.040)1.40 (0.055) RDS(on) 0.2002.21

 9.3. Size:601K  semelab
sml50hb06.pdfpdf_icon

SML5025HN

SML50HB06 Attributes: -aerospace build standard -high reliability -lightweight -metal matrix base plate -AlN isolation Maximum rated values/ Electrical Properties Collector-emitter Voltage 600 VVce DC Collector Current Tc=80C Ic, nom 50 A Tc=25C Ic 75 Repetitive peak Collector Cur- tp=1msec,Tc=80C Icrm 100 Arent Total PowerDissipation Tc=25C Ptot 280 WGate-emitte

Другие MOSFET... SML501R1AN , SML501R1BN , SML501R1CN , SML501R1GN , SML5020BN , SML5022BN , SML5025AN , SML5025BN , IRFZ46N , SML5030AN , SML5030BN , SML5030HN , SML5040AN , SML5040BN , SML5040CN , SML5050AN , SML5050BN .

History: IRF241 | NCE70T180D

 

 
Back to Top

 


 
.