RFP4N40 - описание и поиск аналогов

 

RFP4N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: RFP4N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 42 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO220AB

Аналог (замена) для RFP4N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

RFP4N40 даташит

 ..1. Size:42K  harris semi
rfm4n35 rfm4n40 rfp4n35 rfp4n40.pdfpdf_icon

RFP4N40

RFM4N35, RFM4N40, RFP4N35, RFP4N40 Semiconductor Data Sheet October 1998 File Number 1491.3 4A, 350V and 400V, 2.000 Ohm, N-Channel Features Power MOSFETs 4A, 350V and 400V [ /Title [ /Title These are N-channel enhancement-mode silicon-gate rDS(ON) = 2.000 (RFM4N () power field effect transistors designed for applications such 35, Related Literature /Sub- as switchi

 9.1. Size:93K  fairchild semi
rfp4n100 rf1s4n100sm.pdfpdf_icon

RFP4N40

RFP4N100, RF1S4N100SM Data Sheet January 2002 4.3A, 1000V, 3.500 Ohm, High Voltage, Features N-Channel Power MOSFETs 4.3A, 1000V The RFP4N100 and RFP4N100SM are N-Channel rDS(ON) = 3.500 enhancement mode silicon gate power field effect UIS Rating Curve (Single Pulse) transistors. They are designed for use in applications such as switching regulators, switching conver

 9.2. Size:255K  njs
rfl2n05l rfl2n06l rfp4n05l rfp4n06l.pdfpdf_icon

RFP4N40

 9.3. Size:40K  intersil
rfp4n05l rfp4n06l.pdfpdf_icon

RFP4N40

RFP4N05L, RFP4N06L Data Sheet July 1999 File Number 2876.2 4A, 50V and 60V, 0.800 Ohm, Logic Level, Features N-Channel Power MOSFETs 4A, 50V and 60V The RFP4N05L and RFP4N06L are N-Channel enhancement rDS(ON) = 0.800 mode silicon gate power field effect transistors designed for Design Optimized for 5V Gate Drives applications such as switching regulators, switching conv

Другие MOSFET... IPI05CN10N , SCT3060AR , 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , MTP45N05E , SSS45N20B , RFP4N35 , IRF2807 , 9N90L-T47 , CPC3701 , CPC3701C , CPC3703 , CPC3703C , CPC3710 , CPC3710C , CPC3714 .

History: SUN0460I2 | IRF7313QPBF | 4N65KG-TMS4-T | BRFL13N50

 

 

 

 

↑ Back to Top
.