CPC3701. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CPC3701
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.1 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 125 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 40 ns
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: SOT-89
Аналог (замена) для CPC3701
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CPC3701 даташит
cpc3701.pdf
CPC3701 60V, Depletion-Mode, N-Channel Vertical DMOS FET V(BR)DSX / RDS(ON) IDSS (min) Package Description V(BR)DGX (max) The CPC3701 is an N-channel, depletion mode, field 60V 1 600mA SOT-89 effect transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary third-generation vertical DMOS process. The third-generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an
cpc3701c.pdf
CPC3701 60V, Depletion-Mode, N-Channel Vertical DMOS FET V(BR)DSX / RDS(on) IDSS (min) Package Description V(BR)DGX (max) The CPC3701 is an N-channel, depletion mode, field 60V 1 600mA SOT-89 effect transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary third-generation vertical DMOS process. The third-generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an
cpc3703.pdf
CPC3703 N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs BVDSX/ RDS(ON) IDSS (min) Package Description BVDGX (max) The CPC3703 is an N-channel, depletion mode, field 250V 4 360mA SOT-89 effect transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary third-generation vertical DMOS process. The third-generation process realizes world class, high Features voltage MOSFET performance in an e
cpc3703c.pdf
CPC3703C N-Channel Depletion-Mode Vertical DMOS FETs Description BVDSX/ RDS(ON) IDSS Package BVDGX (max) (min) The CPC3703C is an N-channel depletion mode field 250V 4.0 300mA SOT-89 effect transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary third generation vertical DMOS process. Third generation process realizes world class, high voltage MOSFET performance in an economical silic
Другие MOSFET... 2SK2071-01S , FIR4N65AFG , MTM45N05E , MTP45N05E , SSS45N20B , RFP4N35 , RFP4N40 , 9N90L-T47 , IRFZ24N , CPC3701C , CPC3703 , CPC3703C , CPC3710 , CPC3710C , CPC3714 , CPC3714C , CPC3720 .
History: SI2336DS | HM1404C | SML4025BN
History: SI2336DS | HM1404C | SML4025BN
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB062N08BG | AUB060N08AG | AUB056N10 | AUB056N08BGL | AUB050N085 | AUB050N055 | AUB045N12 | AUB045N10BT | AUB039N10 | AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10
Popular searches
072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647 | k3561 transistor | c3203 transistor




