CPC5603C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CPC5603C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 415 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.13 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 85 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 14 Ohm

Тип корпуса: SOT-223

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CPC5603C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CPC5603C даташит

 ..1. Size:106K  ixys
 cpc5603c.pdf pdf_icon

CPC5603C

CPC5603 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 415 V The CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14 Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max Power 2.5 W third-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

 7.1. Size:106K  ixys
 cpc5603.pdf pdf_icon

CPC5603C

CPC5603 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 415 V The CPC5603 is an N-channel, depletion mode Field Max On-Resistance - RDS(on) 14 Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max Power 2.5 W third-generation vertical DMOS process. The third generation process realizes world class, high voltage MOSFET pe

 8.1. Size:105K  ixys
 cpc5602c.pdf pdf_icon

CPC5603C

CPC5602 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14 third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 W generation process realizes world class, high voltage MOSFET perf

 8.2. Size:106K  ixys
 cpc5602.pdf pdf_icon

CPC5603C

CPC5602 N-Channel Depletion Mode FET Parameter Rating Units Description Drain-to-Source Voltage - VDS 350 V The CPC5602 is an N-channel depletion mode Field Effect Transistor (FET) that utilizes Clare s proprietary Max On-Resistance - RDS(on) 14 third generation vertical DMOS process. The third Max Power 2.5 W generation process realizes world class, high voltage MOSFET perf

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... CPC3714C, CPC3720, CPC3720C, CPC3730, CPC3730C, CPC5602, CPC5602C, CPC5603, 8N65, CPH3324, CPH3327, CPH3340, CPH3341, CPH3362, CPH3427, CPH3430, CPH3442