Справочник MOSFET. CPMF-1200-S160B

 

CPMF-1200-S160B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CPMF-1200-S160B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 202 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 14 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.22 Ohm
   Тип корпуса: CHIP
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CPMF-1200-S160B Datasheet (PDF)

 0.1. Size:566K  cree
 cpmf-1200-s160b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 160 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 47 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed SwitchingGate Low Capacitances Easy to ParallelSource Source Simple to Drive Lead-FreeG GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Coo

 3.1. Size:811K  cree
 cpmf-1200-s080b.pdf pdf_icon

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S080B VDS = 1200 VZ-FeTTM Silicon Carbide MOSFET RDS(on) = 80 mN-Channel Enhancement Mode Qg = 90.8 nCBare DieFeatures PackageDD Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Lead-Free G GSS Benefits DIE Higher System Efficiency Reduced Cooling Requirements

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SISA14DN | NVMFS5C628N | 2SK1414 | NCEP026N10F | MC11N005 | SI7913DN | JCS5N50CT

 

 
Back to Top

 


 
.