NDB610AE datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDB610AE

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm

Тип корпуса: TO-263AB

Аналог (замена) для NDB610AE

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDB610AE даташит

 ..1. Size:63K  fairchild semi
 ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf pdf_icon

NDB610AE

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BE NDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BE N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-channel enhancement mode power field 26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080 . effect transistors are produced using Fairchild's Critical DC electrical parameters specified at proprietary, high cell den

Другие IGBT... NCV8408, NCV8440A, NDB410AE, NDB410B, NDB410BE, NDB608AE, NDB608B, NDB608BE, AO3401, NDB610B, NDB610BE, NDB708AE, NDB708B, NDB708BE, NDB710AE, NDB710B, NDB710BE