Справочник MOSFET. NDD60N745U1

 

NDD60N745U1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDD60N745U1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 84 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 27 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.745 Ohm
   Тип корпуса: DPAK IPAK
 

 Аналог (замена) для NDD60N745U1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDD60N745U1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:129K  onsemi
ndd60n745u1.pdfpdf_icon

NDD60N745U1

NDD60N745U1N-Channel Power MOSFET600 V, 745 mWFeatures 100% Avalanche Testedhttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX600 V 745 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VD (2)Gate-to-Source V

 8.1. Size:129K  onsemi
ndd60n550u1.pdfpdf_icon

NDD60N745U1

NDD60N550U1N-Channel Power MOSFET600 V, 550 mWFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)600 V 550 mW @ 10 VParameter Symbol NDD UnitDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VGate-to-Source Voltage VGS 25 V N-Channel

 8.2. Size:130K  onsemi
ndd60n360u1.pdfpdf_icon

NDD60N745U1

NDD60N360U1N-Channel Power MOSFET600 V, 360 mWFeatures 100% Avalanche Tested These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHShttp://onsemi.comCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAXABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol NDD Unit 600 V 360 mW @ 10 VDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VGate-to-Source Voltage VGS 25 VN-Channel

 8.3. Size:128K  onsemi
ndd60n900u1.pdfpdf_icon

NDD60N745U1

NDD60N900U1N-Channel Power MOSFET600 V, 900 mWFeatures 100% Avalanche Testedhttp://onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHSCompliantV(BR)DSS RDS(ON) MAX600 V 900 mW @ 10 VABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TJ = 25C unless otherwise noted)Parameter Symbol Value UnitN-Channel MOSFETDrain-to-Source Voltage VDSS 600 VD (2)Gate-to-Source V

Другие MOSFET... NDBA170N06A , NDBA180N10B , NDD01N60 , NDD02N40 , NDD03N40Z , NDD03N80Z , NDD60N360U1 , NDD60N550U1 , IRF1407 , NDD60N900U1 , NDDL01N60Z , NDDP010N25AZ , NDFP03N150C , NDFP03N150CG , NDFPD1N150C , NDFPD1N150CG , NDP410AE .

History: L2N7002SLT1G | BUZ77B | IPAN60R210PFD7S | P6503FMA | PE6W2EA | AP4578GH-HF | FDU8770F071

 

 
Back to Top

 


 
.