NDP610AE - аналоги и даташиты транзистора

 

NDP610AE - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: NDP610AE
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 26 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.065 Ohm
   Тип корпуса: TO-220
 

 Аналог (замена) для NDP610AE

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDP610AE Datasheet (PDF)

 ..1. Size:63K  fairchild semi
 ndb610ae ndb610b ndb610be ndp610ae ndp610b ndp610be.pdf pdf_icon

NDP610AE

May 1994 NDP610A / NDP610AE / NDP610B / NDP610BENDB610A / NDB610AE / NDB610B / NDB610BEN-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description FeaturesThese N-channel enhancement mode power field26 and 24A, 100V. RDS(ON) = 0.065 and 0.080. effect transistors are produced using Fairchild'sCritical DC electrical parameters specified atproprietary, high cell den

Другие MOSFET... NDP410BE , NDP605A , NDP605B , NDP606A , NDP606B , NDP608AE , NDP608B , NDP608BE , AON6380 , NDP610B , NDP610BE , NDP708AE , NDP708B , NDP708BE , NDP710AE , NDP710B , NDP710BE .

History: SSPL2015 | BUK114-50L-S | FTK7N65DD

 

 
Back to Top

 


 
.