NDS336P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDS336P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 29 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: SOT-23 SOT-346

Аналог (замена) для NDS336P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDS336P даташит

 ..1. Size:62K  fairchild semi
 nds336p.pdf pdf_icon

NDS336P

June 1997 NDS336P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features SuperSOTTM-3 P-Channel logic level enhancement mode power -1.2 A, -20 V, RDS(ON) = 0.27 @ VGS= -2.7 V field effect transistors are produced using Fairchild's RDS(ON) = 0.2 @ VGS = -4.5 V. proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high Very low level

 ..2. Size:851K  cn vbsemi
 nds336p.pdf pdf_icon

NDS336P

 9.1. Size:62K  fairchild semi
 nds335n.pdf pdf_icon

NDS336P

July 1996 NDS335N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N -Channel logic level enhancement mode power field 1.7 A, 20 V. RDS(ON) = 0.14 @ VGS= 2.7 V effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.11 @ VGS= 4.5 V. high cell density, DMOS technology. This very high density process is espec

 9.2. Size:63K  fairchild semi
 nds331n.pdf pdf_icon

NDS336P

July 1996 NDS331N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel logic level enhancement mode power field 1.3 A, 20 V. RDS(ON) = 0.21 @ VGS= 2.7 V effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.16 @ VGS= 4.5 V. high cell density, DMOS technology. This very high density process is especia

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... NDP710BE, NDPL070N10B, NDPL070N10BG, NDPL100N10B, NDPL100N10BG, NDPL180N10B, NDPL180N10BG, NDS335N, AON7403, NDS352P, NDS355N, NDS8410, NDS9405, NDS9430, NDS9430A, NDT01N60, NDT02N40