NDS9405 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDS9405
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
trⓘ - Время нарастания: 24 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 850 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
Тип корпуса: SO-8
NDS9405 Datasheet (PDF)
nds9405.pdf
February 1996 NNDS9405Single P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -4.3A, -20V. RDS(ON) = 0.10 @ VGS = -10Vtransistors are produced using National's proprietary, high cellHigh density cell design for extremely low RDS(ON)density, DMOS technology. This very high density process isHigh
nds9400a.pdf
February 1996 NDS9400ASingle P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -3.4A, -30V. RDS(ON) = 0.13 @ VGS = -10V.transistors are produced using Fairchild's proprietary, high cellHigh density cell design for extremely low RDS(ON).density, DMOS technology. This very high density process ises
nds9407.pdf
May 2002 NDS9407 60V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 3.0 A, 60 V. RDS(ON) = 150 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench RDS(ON) = 240 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range
nds9407.pdf
NDS9407www.VBsemi.twP-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET power MOSFETVDS (V) -60 100 % Rg and UIS testedRDS(on) () at VGS = -10 V 0.050RDS(on) () at VGS = -4.5 V 0.060ID (A) per leg -8SSO-8S1 8 DGS D2 7S3 6 DG D4 5DTop ViewP-Channel MOSFETABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted)PARAMETE
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXFN320N17T2
History: IXFN320N17T2
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918