NDS9430A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: NDS9430A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 29 nC
trⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 610 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
Тип корпуса: SO-8
NDS9430A Datasheet (PDF)
nds9430a.pdf
December 1997 NDS9430ASingle P-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese P-Channel enhancement mode power field effect -5.3A, -20V. RDS(ON) = 0.05 @ VGS = -10Vtransistors are produced using National's proprietary, high cell RDS(ON) = 0.065 @ VGS = -6V RDS(ON) = 0.09 @ VGS = -4.5V.density, DMOS technology. This very high density proc
nds9430.pdf
May 2002 NDS9430 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 5.3 A, 30 V RDS(ON) = 60 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench RDS(ON) =100 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide range of
nds9435a.pdf
January 2002 NDS9435A 30V P-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This P-Channel MOSFET is a rugged gate version of 5.3 A, 30 V RDS(ON) = 50 m @ VGS = 10 V Fairchild Semiconductors advanced PowerTrench RDS(ON) = 80 m @ VGS = 4.5 V process. It has been optimized for power management applications requiring a wide rang
nds9435a.pdf
NDS9435Awww.VBsemi.twP-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)Definition0.042 at VGS = - 10 V - 5.8 TrenchFET Power MOSFET0.055 at VGS = - 6 V - 30 - 5.0 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC0.060 at VGS = - 4.5 V - 4.4SSO-8GSD1 8S D2 73 6SDG D4 5DTop
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: STP6N95K5
History: STP6N95K5
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918