Справочник MOSFET. NP16N04YUG

 

NP16N04YUG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP16N04YUG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 83 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: HSON
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NP16N04YUG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:219K  renesas
 np16n04yug.pdf pdf_icon

NP16N04YUG

Preliminary Data Sheet R07DS0362EJ0100NP16N04YUG Rev.1.00Jun 13, 2011MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Description The NP16N04YUG is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 25 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss: Ciss = 740 pF TYP. (VDS = 25 V, VGS = 0 V) Designed f

 8.1. Size:194K  renesas
 np16n06yll.pdf pdf_icon

NP16N04YUG

Data Sheet NP16N06YLL R07DS1124EJ010060 V 16 A N-channel Power MOS FET Rev.1.00Application: Automotive Oct 30, 2013Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Low on-state resistance RDS(on) = 35 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 8 A) Low Ciss: Ciss = 400 pF TYP. (VDS = 25 V,

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: IRLU3714 | HCS70R910ST | SI4100DY | PHU78NQ03LT | IRF3707SPBF | NCE2010E | FQD5N50TF

 

 
Back to Top

 


 
.