Справочник MOSFET. IXFA36N20X3

 

IXFA36N20X3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXFA36N20X3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 170 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 36 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 21 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 280 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.045 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IXFA36N20X3

 

 

IXFA36N20X3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:310K  ixys
 ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf

IXFA36N20X3 IXFA36N20X3

VDSS = 200VX3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3ID25 = 36APower MOSFETIXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VD (Tab)VGSS Continuous 20 VTO-220

 7.1. Size:155K  ixys
 ixfa36n30p3 ixfp36n30p3.pdf

IXFA36N20X3 IXFA36N20X3

Preliminary Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA36N30P3Power MOSFET ID25 = 36AIXFP36N30P3 RDS(on) 110m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150

 9.1. Size:565K  ixys
 ixfa3n120 ixfp3n120.pdf

IXFA36N20X3 IXFA36N20X3

IXFA 3N120 VDSS =1200 VHiPerFETTMIXFP 3N120 ID25 = 3 APower MOSFETsRDS(on) = 4.5 trr 300 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VD (TAB)VGS Conti

 9.2. Size:206K  ixys
 ixfa30n60x ixfp30n60x.pdf

IXFA36N20X3 IXFA36N20X3

Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA30N60XPower MOSFET ID25 = 30AIXFP30N60X RDS(on) 155m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 9.3. Size:205K  ixys
 ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf

IXFA36N20X3 IXFA36N20X3

X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS

 9.4. Size:204K  inchange semiconductor
 ixfa34n65x2.pdf

IXFA36N20X3 IXFA36N20X3

INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFA34N65X2FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top