IXFA36N20X3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXFA36N20X3
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 170 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 36 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 21 nC
Время нарастания (tr): 30 ns
Выходная емкость (Cd): 280 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.045 Ohm
Тип корпуса: TO-263
Аналог (замена) для IXFA36N20X3
IXFA36N20X3 Datasheet (PDF)
ixfy36n20x3 ixfa36n20x3 ixfp36n20x3.pdf
VDSS = 200VX3-Class HiPERFETTM IXFY36N20X3ID25 = 36APower MOSFETIXFA36N20X3 RDS(on) 45m IXFP36N20X3N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXFY)G SD (Tab)TO-263 (IXFA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 200 VGSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VD (Tab)VGSS Continuous 20 VTO-220
ixfa36n30p3 ixfp36n30p3.pdf
Preliminary Technical InformationPolar3 TM HiPerFETTM VDSS = 300VIXFA36N30P3Power MOSFET ID25 = 36AIXFP36N30P3 RDS(on) 110m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-263AA (IXFA)GSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VTO-220AB (IXFP)VDGR TJ = 25C to 150
ixfa3n120 ixfp3n120.pdf
IXFA 3N120 VDSS =1200 VHiPerFETTMIXFP 3N120 ID25 = 3 APower MOSFETsRDS(on) = 4.5 trr 300 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtPreliminary Data SheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VD (TAB)VGS Conti
ixfa30n60x ixfp30n60x.pdf
Advance Technical InformationX-Class HiPerFETTM VDSS = 600VIXFA30N60XPower MOSFET ID25 = 30AIXFP30N60X RDS(on) 155m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXFA)Fast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 600 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M
ixfa34n65x2 ixfp34n65x2 ixfh34n65x2.pdf
X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650VIXFA34N65X2Power MOSFET ID25 = 34AIXFP34N65X2 RDS(on) 100m IXFH34N65X2N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXFA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220AB (IXFP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGS
ixfa34n65x2.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXFA34N65X2FEATURESWith TO-263(D2PAK) packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
