2N6760JAN Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: 2N6760JAN
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 40 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 300 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm
Тип корпуса: TO3
2N6760JAN Datasheet (PDF)
2n6760 irf330.pdf

PD - 90335FIRF330REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED JANTX2N6760HEXFETTRANSISTORS JANTXV2N6760THRU-HOLE (TO-204AA/AE) [REF:MIL-PRF-19500/542]400V, N-CHANNELProduct Summary Part Number BVDSS RDS(on) IDIRF330 400V 1.00 5.5AThe HEXFETtechnology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors.The efficient geometry and unique proces
Другие MOSFET... 2N6758 , 2N6758JAN , 2N6758JANTX , 2N6758JANTXV , 2N6758JTX , 2N6758JTXV , 2N6759 , 2N6760 , IRLZ44N , 2N6760JANTX , 2N6760JANTXV , 2N6760JTX , 2N6760JTXV , 2N6761 , 2N6762 , 2N6762JAN , 2N6762JANTX .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
irf3710 | tip3055 | mosfet datasheet | irf3205 datasheet | irf5210 | mj15024 | 2n2219 | tip42c