NP83P06PDG. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: NP83P06PDG

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 83 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 20 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0088 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для NP83P06PDG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP83P06PDG даташит

 ..1. Size:291K  renesas
 np83p06pdg.pdf pdf_icon

NP83P06PDG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

 8.1. Size:291K  renesas
 np83p04pdg.pdf pdf_icon

NP83P06PDG

To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.

Другие IGBT... NP82N055PUG, NP82N06MLG, NP82N06NLG, NP82N06PDG, NP82N06PLG, NP82N10PUF, NP82P04PLF, NP83P04PDG, BS170, NP84N04CHE, NP84N04DHE, NP84N04EHE, NP84N04KHE, NP84N04MHE, NP84N04NHE, NP84N055CHE, NP84N055CLE