Справочник MOSFET. NP89N055NUK

 

NP89N055NUK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP89N055NUK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: TO-262
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NP89N055NUK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:103K  renesas
 np89n055muk np89n055nuk.pdf pdf_icon

NP89N055NUK

Preliminary Data Sheet NP89N055MUK, NP89N055NUK R07DS0600EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jan 11, 2012Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.4 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V) D

 6.1. Size:102K  renesas
 np89n055puk.pdf pdf_icon

NP89N055NUK

Preliminary Data Sheet NP89N055PUK R07DS0569EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Nov 17, 2011Description The NP89N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V) Designed for au

 8.1. Size:103K  renesas
 np89n04puk.pdf pdf_icon

NP89N055NUK

Preliminary Data Sheet NP89N04PUK R07DS0562EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Nov 07, 2011Description The NP89N04PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 2.95 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 3900 pF TYP. (VDS = 25 V) Designed for aut

 8.2. Size:103K  renesas
 np89n04muk np89n04nuk.pdf pdf_icon

NP89N055NUK

Preliminary Data Sheet NP89N04MUK, NP89N04NUK R07DS0599EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jan 11, 2012Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 3900 pF TYP. (VDS = 25 V) Des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ELM13406CA | TSP7N80M | 2SK3572-Z | WM04P50M | EFC4K110NUZ | BL50N30-W | SMK1820F

 

 
Back to Top

 


 
.