Справочник MOSFET. NP89N055PUK

 

NP89N055PUK Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NP89N055PUK
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 147 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 90 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 410 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для NP89N055PUK

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NP89N055PUK Datasheet (PDF)

 ..1. Size:102K  renesas
 np89n055puk.pdf pdf_icon

NP89N055PUK

Preliminary Data Sheet NP89N055PUK R07DS0569EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Nov 17, 2011Description The NP89N055PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.0 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V) Designed for au

 6.1. Size:103K  renesas
 np89n055muk np89n055nuk.pdf pdf_icon

NP89N055PUK

Preliminary Data Sheet NP89N055MUK, NP89N055NUK R07DS0600EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jan 11, 2012Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 4.4 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 4000 pF TYP. (VDS = 25 V) D

 8.1. Size:103K  renesas
 np89n04puk.pdf pdf_icon

NP89N055PUK

Preliminary Data Sheet NP89N04PUK R07DS0562EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Nov 07, 2011Description The NP89N04PUK is N-channel MOS Field Effect Transistor designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 2.95 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 3900 pF TYP. (VDS = 25 V) Designed for aut

 8.2. Size:103K  renesas
 np89n04muk np89n04nuk.pdf pdf_icon

NP89N055PUK

Preliminary Data Sheet NP89N04MUK, NP89N04NUK R07DS0599EJ0100Rev.1.00MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR Jan 11, 2012Description These products are N-channel MOS Field Effect Transistors designed for high current switching applications. Features Super low on-state resistance RDS(on) = 3.3 m MAX. (VGS = 10 V, ID = 45 A) Low Ciss: Ciss = 3900 pF TYP. (VDS = 25 V) Des

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... NP88N075MUE , NP88N075NUE , NP89N04MUK , NP89N04NUK , NP89N04PDK , NP89N04PUK , NP89N055MUK , NP89N055NUK , P55NF06 , NP90N03VHG , NP90N03VLG , NP90N03VUG , NP90N04MDH , NP90N04MUG , NP90N04MUH , NP90N04MUK , NP90N04NDH .

History: STD30NF06

 

 
Back to Top

 


 
.