Справочник MOSFET. SWD069R10VS

 

SWD069R10VS MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: SWD069R10VS

Маркировка: SW069R10VS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 158.2 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 20 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 2.4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 70 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 45 nC

Время нарастания (tr): 51 ns

Выходная емкость (Cd): 1590 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0089 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для SWD069R10VS

 

 

SWD069R10VS Datasheet (PDF)

1.1. swha069r10vs swi069r10vs swd069r10vs swp069r10vs.pdf Size:708K _update-mosfet

SWD069R10VS
SWD069R10VS

 SW069R10VS N-channel Enhanced mode DFN5*6/TO-251/TO-252/TO-220 MOSFET Features DFN5*6 TO-251 TO-252 TO-220 BVDSS : 100V  High ruggedness ID : 70A  Low RDS(ON) (Typ 7.1mΩ)@VGS=10V RDS(ON) : 7.1mΩ@VGS=10V  Low Gate Charge (Typ 45nC)  Improved dv/dt Capability 9.0mΩ@VGS=4.5V 1  100% Avalanche Tested G(4) 1 1 D(5,6,7,8) 2 2 2 3 3 3  A

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top