IPD12CNE8NG datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IPD12CNE8NG  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 85 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 67 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 21 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 608 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0124 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IPD12CNE8NG

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IPD12CNE8NG даташит

 4.1. Size:549K  infineon
 ipb12cne8n-g ipd12cne8n-g ipi12cne8n-g ipp12cne8n-g.pdf pdf_icon

IPD12CNE8NG

IPB12CNE8N G IPD12CNE8N G IPI12CNE8N G IPP12CNE8N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 85 V DS N-channel, normal level R (TO252) 12.4 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 67 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1

 7.1. Size:858K  infineon
 ipb12cn10ng ipd12cn10ng ipi12cn10ng ipp12cn10ng ipb12cn10ng ipi12cn10ng.pdf pdf_icon

IPD12CNE8NG

IPB12CN10N G IPD12CN10N G IPI12CN10N G IPP12CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features VDS 100 V N-channel, normal level RDS(on),max (TO252) 12.4 mW Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) ID 67 A Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC1)

 7.2. Size:623K  infineon
 ipb12cn10n-g ipd12cn10n-g ipi12cn10n-g ipp12cn10n-g.pdf pdf_icon

IPD12CNE8NG

IPB12CN10N G IPD12CN10N G IPI12CN10N G IPP12CN10N G OptiMOS 2 Power-Transistor Product Summary Features V 100 V DS N-channel, normal level R (TO252) 12.4 m DS(on),max Excellent gate charge x R product (FOM) DS(on) I 67 A D Very low on-resistance R DS(on) 175 C operating temperature Pb-free lead plating; RoHS compliant Qualified according to JEDEC

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... SWD069R10VS, SWP069R10VS, IPP050N06NG, IPI05CNE8NG, IPP054NE8NG, IPI06CN10NG, IPI08CNE8NG, IPP08CNE8NG, IRF1407, IPI12CNE8NG, IPP12CNE8NG, IPI45N04S4L-08, IPP45N04S4L-08, TP2301PR, TP2302NR, TP2305PR, TP3443PR