H06N60U - описание и поиск аналогов

 

H06N60U. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: H06N60U

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 158 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для H06N60U

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

H06N60U даташит

 ..1. Size:75K  1
 h06n60u h06n60e h06n60f.pdf pdf_icon

H06N60U

Spec. No. MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code U Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

 8.1. Size:71K  hsmc
 h06n60.pdf pdf_icon

H06N60U

Spec. No. MOS200402 HI-SINCERITY Issued Date 2004.04.01 Revised Date 2005.03.10 MICROELECTRONICS CORP. Page No. 1/6 H06N60 Series Pin Assignment H06N60 Series Tab 3-Lead Plastic TO-263 N-Channel Power Field Effect Transistor Package Code U Pin 1 Gate Pin 2 & Tab Drain 3 2 Pin 3 Source 1 Description Tab This high voltage MOSFET uses an advanced termination scheme t

Другие MOSFET... AP9918J , CEB7030L , CEP7030L , CSD30N55 , DMT10N60 , DMF10N60 , DMK10N60 , DMG10N60 , IRFZ46N , JCS4N60VB , JCS4N60RB , JCS4N60BB , JCS4N60CB , JCS4N60FB , LD1014D , ME80N75F , ME80N75FG .

History: CSD30N55

 

 

 

 

↑ Back to Top
.