Справочник MOSFET. SPB100N06S2-05

 

SPB100N06S2-05 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SPB100N06S2-05
   Маркировка: PN0605
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 100 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 130 nC
   trⓘ - Время нарастания: 31 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0047 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

SPB100N06S2-05 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:312K  1
 spp100n06s2-05 spb100n06s2-05.pdf pdf_icon

SPB100N06S2-05

SPP100N06S2-05SPB100N06S2-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.7 m Enhancement modeID 100 A 175C operating temperatureP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6048PN0605SPB100N06S2-05 P- TO263 -3-2

 3.1. Size:310K  infineon
 spp100n06s2l-05 spb100n06s2l-05.pdf pdf_icon

SPB100N06S2-05

SPP100N06S2L-05SPB100N06S2L-05OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS55 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 4.4 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N06S2L-05 P- TO220 -3-1 Q67060-S6043PN06L05SPB100N0

 6.1. Size:200K  1
 spp100n08s2l-07 spb100n08s2l-07.pdf pdf_icon

SPB100N06S2-05

SPP100N08S2L-07SPB100N08S2L-07OptiMOS Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS75 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 6.5 m Enhancement modeID 100 A Logic LevelP- TO263 -3-2 P- TO220 -3-1 175C operating temperature Avalanche rated dv/dt ratedType Package Ordering Code MarkingSPP100N08S2L-07 P- TO220 -3-1 Q67060-S6045PN08L07SPB100N0

 6.2. Size:676K  infineon
 spb100n03s2-03 spb100n03s2.pdf pdf_icon

SPB100N06S2-05

SPB100N03S2-03GOptiMOS TM Power-TransistorProduct SummaryFeatureVDS30 V N-ChannelRDS(on) max. SMD version 3 m Enhancement modeID 100 A Excellent Gate Charge x RDS(on) product (FOM)P-TO263 -3 Superior thermal resistance 175C operating temperature Avalanche rated dv/d t rated; Halogen Free according to IEC61249-2-21 MarkingType Package

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

 

 
Back to Top

 


 
.