Справочник MOSFET. CS3N20ATH

 

CS3N20ATH Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CS3N20ATH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89
 

 Аналог (замена) для CS3N20ATH

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3N20ATH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  1
 cs3n20ath.pdf pdf_icon

CS3N20ATH

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N20 ATH General Description VDSS 200 V CS3N20 ATH, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

Другие MOSFET... SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , 50N06 , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R , JCS12N65T , JCS12N65CT , JCS12N65FT , ME4410A .

History: IPP041N12N3 | SSPS922NE | SD10425 | IRF9150 | SSPL2015 | BRI50N06 | KIA2N60H-251

 

 
Back to Top

 


 
.