CS3N20ATH - описание и поиск аналогов

 

CS3N20ATH. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CS3N20ATH

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 23 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: SOT-89

Аналог (замена) для CS3N20ATH

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CS3N20ATH даташит

 ..1. Size:386K  1
 cs3n20ath.pdf pdf_icon

CS3N20ATH

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N20 ATH General Description VDSS 200 V CS3N20 ATH, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25 ) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

Другие MOSFET... SPP100N06S2-05 , SPB100N06S2-05 , SSM5N03FE , STK0260D , SWD5N65K , VN10KLS , BFW10 , BFW11 , 50N06 , FHP3205 , FS10KM-12 , FS10KM-2 , FTP50N20R , JCS12N65T , JCS12N65CT , JCS12N65FT , ME4410A .

History: 2SK293 | SMK0825FC | SM6012NSUB

 

 

 

 

↑ Back to Top
.