Справочник MOSFET. CS3N20ATH

 

CS3N20ATH MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CS3N20ATH
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2.5 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 1.9 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 4.3 nC
   Время нарастания (tr): 12 ns
   Выходная емкость (Cd): 23 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-89

 Аналог (замена) для CS3N20ATH

 

 

CS3N20ATH Datasheet (PDF)

 ..1. Size:386K  1
 cs3n20ath.pdf

CS3N20ATH CS3N20ATH

Silicon N-Channel Power MOSFET R CS3N20 ATH General Description VDSS 200 V CS3N20 ATH, the silicon N-channel Enhanced ID 3 A PD(TC=25) 2.5 W VDMOSFETs, is obtained by the self-aligned planar Technology RDS(ON)Typ 1.2 which reduce the conduction loss, improve switching performance and enhance the avalanche energy. The transistor can be used in various power

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top