NTMFS4C55N datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NTMFS4C55N  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.57 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 21.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1215 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0034 Ohm

Тип корпуса: SO-8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NTMFS4C55N

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NTMFS4C55N даташит

 ..1. Size:79K  1
ntmfs4c55n.pdfpdf_icon

NTMFS4C55N

NTMFS4C55N Power MOSFET 30 V, 78 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 3.4 mW @ 10 V CPU Power Delive

 ..2. Size:79K  onsemi
ntmfs4c55n.pdfpdf_icon

NTMFS4C55N

NTMFS4C55N Power MOSFET 30 V, 78 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses www.onsemi.com These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 3.4 mW @ 10 V CPU Power Delive

 6.1. Size:124K  onsemi
ntmfs4c59n.pdfpdf_icon

NTMFS4C55N

NTMFS4C59N Power MOSFET 30 V, 52 A, Single N-Channel, SO-8 FL Features Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses http //onsemi.com Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These Devices are Pb-Free and are RoHS Compliant V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX Applications 5.8 mW @ 10 V CPU Power Delivery 30 V 52 A 8.5 mW

 7.1. Size:138K  1
ntmfs4c06n.pdfpdf_icon

NTMFS4C55N

NTMFS4C06N MOSFET Power, Single, N-Channel, SO-8 FL 30 V, 69 A Features www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses V(BR)DSS RDS(ON) MAX ID MAX These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS 4.0 mW @ 10 V Compliant 30 V 69 A 6.0 mW @ 4.5 V A

Другие IGBT... FTP50N20R, JCS12N65T, JCS12N65CT, JCS12N65FT, ME4410A, MMD65R600QRH, MT3245, NCE0117K, IRF3710, SI9953DY, STP110N7F6, SUP85N03-07P, SUB85N03-07P, SVF4N60CAF, SVF4N60CAK, SVF4N60CAD, SVF4N60CAT